bychip可替代AP4575GM

bychip可替代_AP4575GM导读

MOS管原理本文MOS管的原理说明以 增强型NMOS 为例。为了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基础的 N 型半导体 和 P 型半导体。了解MOS管的工作原理，能够让我们能更好的运用MOS管，而不是死记怎么用。

基础知识中 MOS 部分迟迟未整理，实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管， 今天势必要来一篇文章，彻底掌握mos管！。

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VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。

这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

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AO3402

AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。

MOS管的基本原理是利用一个金属栅极、氧化物和半导体组成的结构来控制导体的电阻。在 MOS管中，半导体材料通常是硅。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

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最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。

文章来源：www.bychip.cn