TLJP336M010R3500_TLJP336M010R3500导读
针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。
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TAJB157M002RNJ
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
。·用作无触点开关：利用三极管的截止和导通特性来控制或驱动负载;比如由三极管组成的门电路、开关电源等。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
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TAJD336M035RNJ
FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。
。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。另一种晶体管叫做场效应管 (FET) ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比 (beta) 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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