TLJP476M006R0700_TLJP476M006R0700导读
针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。
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TAJA104K050RNJ
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TLJP476M006R0700_TLJP476M006R0700
TLJT227M002R1200
MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
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导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
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