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TLJN476M006R8300

发布时间2022-6-9 22:30:00关键词:TLJN476M006R8300
摘要

TLJN476M006R8300

TLJN476M006R8300_TLJN476M006R8300导读

这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流(当然和其它因素有关,如热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻,也就是导通电阻。

TLJN476M006R8300_TLJN476M006R8300

TAJD106M035RNJ

。·用作无触点开关:利用三极管的截止和导通特性来控制或驱动负载;比如由三极管组成的门电路、开关电源等。

截止状态:三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时便失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

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TAJA155M016RNJ

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管,或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

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NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。

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