TLJT227M004R1100_TLJT227M004R1100导读
这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。
TLJT227M004R1100_TLJT227M004R1100
TLJP476M004R3000
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
。·用作无触点开关：利用三极管的截止和导通特性来控制或驱动负载;比如由三极管组成的门电路、开关电源等。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
TLJT227M004R1100_TLJT227M004R1100
TAJA155M025RNJ
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。另一种晶体管叫做场效应管 (FET) ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比 (beta) 。
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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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