TLJA107M010R1400_TLJA107M010R1400导读
这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。
TLJA107M010R1400_TLJA107M010R1400
TAJV226M050RNJ
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
TLJA107M010R1400_TLJA107M010R1400
TAJC686M006RNJ
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
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导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
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