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今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。

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AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。

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BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。

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至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。

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