bychip可替代IRF7240TRPBF
发布时间:2023-7-27 8:55:00
bychip可替代IRF7240TRPBF,bychip可替代_IRF7240TRPBF导读 MOS管分类按沟道分类,场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管。按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:增强型管:栅极-[详情]
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发布时间:2023-7-27 8:55:00
bychip可替代IRF7240TRPBF,bychip可替代_IRF7240TRPBF导读 MOS管分类按沟道分类,场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管。按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:增强型管:栅极-[详情]
发布时间:2023-7-27 8:55:00
bychip可替代IRF7309TRPBF,bychip可替代_IRF7309TRPBF导读 基础知识中MOS部分迟迟未整理,实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管,今天势必要来一篇文章,彻底掌握mos管!。 场效[详情]
发布时间:2023-7-25 9:16:00
bychip可替代IRF5803TRPBF,bychip可替代_IRF5803TRPBF导读 什么是场效应管?场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电[详情]
发布时间:2023-7-20 9:03:00
bychip可替代FDS9958-NL,bychip可替代FDS9958-NL导读 所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主,主要还是电压为0的时候,D极和S极能否导通的问[详情]
发布时间:2023-7-20 9:03:00
bychip可替代FQPF30N06L,bychip可替代FQPF30N06L导读 场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 mos管是金属[详情]
发布时间:2023-7-20 9:03:00
bychip可替代FQT5P10,bychip可替代FQT5P10导读 什么是场效应管?场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。它[详情]
发布时间:2023-7-20 9:03:00
bychip可替代FQU15N06L,bychip可替代FQU15N06L导读 这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsicsilicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电[详情]
发布时间:2023-7-13 9:12:00
bychip可替代AP4407GM,bychip可替代AP4407GM导读 因此PMOS管的阈值电压是负值。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。 在实际应用中,以增强型NMOS[详情]
发布时间:2023-7-13 9:12:00
bychip可替代AP4575GM,bychip可替代_AP4575GM导读 MOS管原理本文MOS管的原理说明以增强型NMOS为例。为了理解MOS管的基本原理,首先要知道更基础的N型半导体和P型半导体。了解MOS管的[详情]
发布时间:2023-7-13 9:12:00
bychip可替代AP6906GH-HF,bychip可替代AP6906GH-HF导读 具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管属于电压控制型半导体器件。 因此PMO[详情]
发布时间:2023-7-13 9:12:00
bychip可替代AP85U03GH-HF,bychip可替代AP85U03GH-HF导读 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—[详情]
发布时间:2023-7-11 8:58:00
bychip可替代_FDS4435-NL,bychip可替代_FDS4435-NL导读 按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:增强型管:栅极-源极电压Vgs为零时漏极电流也为零;耗尽型管:栅极-源极电压Vgs为零时漏极电[详情]
发布时间:2023-7-11 8:58:00
bychip可替代_2SJ168,bychip可替代_2SJ168导读 按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:增强型管:栅极-源极电压Vgs为零时漏极电流也为零;耗尽型管:栅极-源极电压Vgs为零时漏极电流不为零。MOS管[详情]
发布时间:2023-7-11 8:58:00
bychip可替代2SJ245S,bychip可替代_2SJ245S导读 而P沟道常见的为低压mos管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。 按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:增强型[详情]
发布时间:2023-7-11 8:58:00
bychip可替代2SJ327-Z-E1-AZ,bychip可替代_2SJ327-Z-E1-AZ导读 按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:增强型管:栅极-源极电压Vgs为零时漏极电流也为零;耗尽型管:栅极-源极电压Vgs[详情]
发布时间:2022-8-3 23:04:00
74AHCT1G02W5-7,74AHCT1G02W5-7_SOT-23-5导读 小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管,其实内部由成千上万个小mos管并联而成,大家可能会想成千上万个小mo[详情]
发布时间:2022-8-3 23:02:00
74AHCT1G02SE-7,74AHCT1G02SE-7_SOT353导读 它们的各种开关动作几乎是一致,当然烧坏时,肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分,差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。 [详情]
发布时间:2022-8-3 23:01:00
74AHCT164T14-13,74AHCT164T14-13_SOP14导读 寄生二极管由于生产工艺,一般的MOS管会有一个寄生二极管,有的也叫体二极管。 74AHCT164T14-13_SOP14 2[详情]
发布时间:2022-8-3 22:58:00
74AHCT126S14-13,74AHCT126S14-13_SOP14导读 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。 74AHCT126S14-13_SOP14[详情]
发布时间:2022-8-2 22:59:00
74AHC1G86W5-7,74AHC1G86W5-7_SOT23-5导读 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书,我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 [详情]