bychip可替代FQU15N06L

bychip可替代FQU15N06L导读

这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。

MOS管分类按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管。按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零； 耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。

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bychip可替代

对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。

VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。

所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。 4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作； 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。MOS管特点 1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。 2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。 3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。

VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

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FDS4559-NL

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。MOS管是一种场效应管，其主要作用是在电路中实现信号放大、开关控制等功能。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

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如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。

只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

文章来源： www.bychip.cn